主持单位：物理与电子科学学院

    设备名称：多靶磁控溅射镀膜

    存放地址：综合实验楼-102

    主要技术指标：可依序进行3个靶材的溅镀；同时进行2个靶材的溅镀；可溅镀范围4英寸以内；真空度8×10 -8torr，厚度均匀性误差<±5%，溅镀数微米以下；可溅镀金属类Al、Cu、Gr、Co、Fe、Ni、Pt、Ag、Ti、Ta等材料；可溅镀合金类NiFe、CoFe、CoFeB、NiMn、FeMn、TbFeCo等材料；可溅镀氧化物类MgO等材料。

    应用领域：材料科学、光伏、薄膜、半导体、电子

    主要功能描述：可镀各种硬质膜、金属膜、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其他化学反应膜，亦可镀铁磁材料。主要用于实验室制备有机光电器件的金属电极及介电层，以及制备用于生长纳米材料的催化剂薄膜层。可广泛应用溅镀方式在样品表面沉积数微米以下的薄膜，可制备包括各种金属、半导体、铁磁材料,以及绝缘的氧化物、陶瓷等物质。